新硅能微电子(苏州)有限公司由原苏州硅能半导体、知名高校及研究所教授等优秀的功率器件及模块设计团队组成。团队成员具有十数年以上器件及模块设计和应用经验。公司专注于Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品的研发，广泛应用于电源、储能、家电、工业以及新能源汽车等领域。

拥有江苏省功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心，并持有多项发明和实用新型专利。公司具备领先的产品设计和制程开发的核心自主研发能力，致力于为人类美好未来做出贡献。

公司的愿景是成为一流的中国功率半导体企业，其信念是敬天爱人，天道酬勤。使命是让功率更高效，让世界更美好。价值观包括允公允能，惟实励新；至善至精，诚信悦人。

目前已获得47项专利，包括10项发明专利和37项实用新型专利。这些专利确保了公司在市场竞争中的竞争力，使其产品在性能、效率和可靠性方面处于领先地位。通过专利保护，公司鼓励创新，促进行业的发展，并为客户提供更多选择。公司将继续致力于创新，不断积累专利，为半导体领域的发展注入新的动力。

MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品