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BUP314中文资料

BUP314
厂家型号

BUP314
文件大小

89.91Kbytes
页面数量

8页
功能描述

IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A
数据手册

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生产厂商

SIEMENS

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BUP314数据手册规格书PDF详情

• Low forward voltage drop

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Avalanche rated

BUP314产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUP314

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

BUP314供应商...

更新时间：2025-12-3 11:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威尔健半导体有限公司
BUP314
SIEMENS/西门子
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23+
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1
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