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BUP313D中文资料

BUP313D
厂家型号

BUP313D
文件大小

110.27Kbytes
页面数量

8页
功能描述

IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free)

IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
数据手册

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生产厂商

SIEMENS

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BUP313D数据手册规格书PDF详情

IGBT With Antiparallel Diode

• Low forward voltage drop

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Including fast free-wheel diode

BUP313D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUP313D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

BUP313D供应商...

更新时间：2025-10-13 16:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
BUP313D
Infineon(英飞凌)
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标准封装
7088
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
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主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
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