型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

Product Description RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id

RFMD

威讯联合

2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

Product Description RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id

RFMD

威讯联合

2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

Product Description RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id

RFMD

威讯联合

2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

Product Description RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id

RFMD

威讯联合

2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

Product Description RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology and fabricated with MOCVD for an id

RFMD

威讯联合

射频放大器 HBT Amplifier

QORVO

威讯联合

射频放大器 2.3-2.7GHz SSG 36dB NF 8.3dB P1dB 35dBm

QORVO

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

2.3GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

文件:849.29 Kbytes Page:21 Pages

RFMD

威讯联合

射频放大器 High Linearity Amplifier

QORVO

威讯联合

SZM2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SZM2

  • 制造商

    HITEC

  • 功能描述

    MICROSCOPE, STEREO, ZOOM

更新时间:2025-12-27 15:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
23+
QFN
8000
原装正品,假一罚十
RFMD
23+
40QFN
321
原装正品代理渠道价格优势
RFMD
16+
QFN
10000
进口原装现货/价格优势!
RFMD/威讯
2450+
QFN
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RFMD
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RFMD
22+
QFN
20000
公司只做原装 品质保证
高价收此货
2447
QFN
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RFMD
2406+
QFN
11260
诚信经营!进口原装!量大价优!
恩XP
24+
NA
7500
只做原装正品 在原厂和代理搬货
0941
专业铁帽
QFN
100
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货

SZM2数据表相关新闻

  • SZ1SMA5919BT3G

    SZ1SMA5919BT3G

    2023-11-10
  • SZ1SMA5918BT3G

    进口代理

    2023-3-7
  • SZMM5Z4V7T5G

    进口代理

    2022-11-9
  • SZMMBZ15VDLT1G

    进口代理

    2022-10-31
  • SZMM3Z10VST1G

    产品属性 类型 描述 类别 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 onsemi 系列 Automotive, AEC-Q101 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel? 得捷定制卷带 零件状态 在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 10 V 容差 - 功率 - 最大值 300 mW 阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄

    2021-10-8
  • SZ1.5SMC30AT3G深圳市光华微科技有限公司0755-83203002

    37012000000 Littelfuse 全系列 SZ1.5SMC30AT3G Littelfuse 全系列

    2020-6-5