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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
更新时间:2024-6-17 14:14:01
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