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60VN-ChannelMOSFET

Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability • VDS(V)=60V ID=20A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWUMW

友台友台半导体

UMW

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=39MΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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ISC

RGBInterfaceICforTV/Monitor/Display

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松下松下电器

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N-ChannelPowerMOSFET60V,20A,39m

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安森美半导体安森美半导体公司

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间:2024-5-31 17:35:01
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