型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
iscN-ChannelMosfetTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:217.21 Kbytes Page:8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件:473.72 Kbytes Page:7 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 | |||
8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件:879.04 Kbytes Page:12 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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21+ |
BGA |
355 |
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BYD |
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TO-220F |
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UTC |
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FSC |
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