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SUP90140E

N-Channel200V(D-S)175째CMOSFET

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威世科技威世科技半导体

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel200V(D-S)175°CMOSFET

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更新时间:2025-7-23 15:18:00
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