型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SUP75N06-08

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SUP75N06-08

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
SUP75N06-08

N-ChannelEnhancement-ModeTransistors

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Temic

TEMIC Semiconductors

Temic
SUP75N06-08

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancement-ModeTransistors

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Temic

TEMIC Semiconductors

Temic

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SUP75N06-08产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUP75N06-08

  • 功能描述

    MOSFET 60V 75A 250W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-14 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
7677
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
Vishay(威世)
24+
NA/
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
VISHAY
24+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY
98+
TO-220
552
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi
24+
TO220
12000
原装
VISHAY
23+
TO-220
19567
VISHAY/威世
98+
TO-220
552
VISHAY
23+
TO-220
10012
专做原装正品,假一罚百!
VISHAY
25+23+
TO-220
27938
绝对原装正品全新进口深圳现货
VISHAY/威世
24+
TO-220
552
只做原厂渠道 可追溯货源

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