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STY价格
参考价格：￥99.1059
型号：STY100NM60N 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STY多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STY批发/采购报价，STY行情走势销售排行榜，STY报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STY | Box Cover Units for Plug Fuses BoxCoverUnitsForPlugFuses Plugfuseboxcoverunitsprovideasimple,inexpensivewaytoprotectsmallmotorswithEdison-type“T”,“TL”,“TC”,“P”and“W”plugfuses.Boxcoverunitsareeasilyinstalledinstandardelectricalboxes.Byusingfusessizedattheampratingofamotororslig | COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司 |  |   |
STY | 包装：散装 描述：FUSE TRON BOX COVER UNIT 电路保护 保险丝座 | Eaton - Bussmann Electrical Division Eaton - Bussmann Electrical Division |  | |
N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET Description UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofPowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(ON)perarea,e | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
N-channel 650 V, 0.019 廓, 96 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatchedam | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNEL 100V - 0.009 ohm - 140A MAX247??MESH OVERLAY??POWER MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 1000V - 0.65 ohm - 15A - Max247 MOSFET DESCRIPTION TheMax247TMpackageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreduce | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET DESCRIPTION TheMax247™packageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreducec | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 600V - 0.225ohm - 25 A - Max247 EXSTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET DESCRIPTION TheMax247packageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreducecomp | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION TheMax247TMpackageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreduce | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAYprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 1050 V, 0.110 Ω typ., 46 A MDmesh™ DK5 Power MOSFET in a Max247 package Features Fast-recoverybodydiode BestRDS(on)xarea Lowgatecharge,inputcapacitanceand resistance 100avalanchetested Extremelyhighdv/dtruggedness Applications Switchingapplications Description ThisveryhighvoltageN-channelPower MOSFETispartoftheMDmes | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION TheMax247™packageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreducec | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh?줡ower MOSFET DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNEL 600V - 0.050ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh?줡ower MOSFET DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
Applicable for automotive interior light 文件：892.71 Kbytes Page：24 Pages | SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd. |  | | |
Applicable for automotive exterior light 文件：838.48 Kbytes Page：25 Pages | SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd. | | | |
Applicable for automotive exterior light 文件：873.38 Kbytes Page：24 Pages | SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd. | | | |
Low input capacitance and gate charge 文件：815.87 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET 文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET 文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 500 V, 0.019 廓 typ., 110 A, MDmesh??II Power MOSFET in a Max247 package 文件：907.76 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 200 V, 0.01 typ., 130 A STripFET II with fast recovery diode Power MOSFET in a Max247 package 文件：672.58 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 650 V, 0.014 廓 typ., 130 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package 文件：971.65 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 650 V, 0.012 廓 typ., 138 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package 文件：788.48 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：252.3 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET 文件：93.19 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET 文件：187.6 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-channel 600 V - 0.035 廓 - 80 A - Max247 second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：130.81 Kbytes Page：9 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
包装：散装 描述：ASSY, PKG, ACCESSORY, STYLUS, PL 标签，标志，护栏，标识 配件 | Brady Corporation Brady Corporation | | | |
Applicable Probe Heads 文件：1.42131 Mbytes Page：13 Pages | ACCRETECHTOKYO SEIMITSU CO., LTD 东精精密东精精密设备（上海）有限公司 |  | | |
Discrete Thyristors(SCRs) 文件：202.32 Kbytes Page：2 Pages | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 |  | | |
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Discrete Thyristors(SCRs) 文件：193.83 Kbytes Page：2 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
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STY产品属性
- 类型
描述
- 型号
STY
- 功能描述
控制开关 STY
- RoHS
否
- 制造商
Omron Industrial
- 控制类型
Emergency Stop
- 触点额定值
5 A at 125 VAC
- 触点形式
1 Form B(SPST-NC)
- 执行器
Pushbutton
- 照明
N
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
Max247-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
|||
ST |
2020+ |
原厂原装正品 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST |
15+ |
TO247 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
23+ |
Max247 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
Max247-3 |
12820 |
公司只做原装,诚信经营 |
|||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ST/意法半导体 |
2023 |
Max247-3 |
6000 |
公司原装现货/支持实单 |
|||
ST |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
MICROCHIP/微芯 |
22+ |
QFN |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
Max247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
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- t7272
- t680
- t5007
- t5006
- t4242
- t40
- t2222
- t2010
- t100k
- sw-262
- STZC6.8NT146
- STZB-SK/RAIS
- STZ6.8TT146
- STZ6.8NT146
- STZ6.8N
- STZ6.2NT146
- STZ6.2N
- STZ5.6NT146
- STZ5.6N
- STYN665
- STYN655
- STYN630
- STYN610
- STYN608
- STYN530
- STYN510
- STYN430
- STYN410
- STYN408
- STYN330
- STYN310
- STYN265
- STYN255
- STYN230
- STYN225
- STYN216
- STYN212
- STYN210
- STYN208
- STY80NM60N
- STY60NM60
- STY60NM50
- STY60NK30Z
- STY145N65M5
- STY140NS10
- STY139N65M5
- STY130NF20D
- STY112N65M5
- STY105NM50N
- STY100NM60N
- STX-RLINK
- STX-PRO/RAIS
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- STX-M6-K
- STX93003
- STX83003-AP
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2023-2-28STZ6.8NT146
型号STZ6.8NT146，品牌ROHM/罗姆，封装SOT-23，批号21+
2022-6-13ST浪涌抑制器TPI12011NRL原装热卖！
★★★★★深圳宏捷佳只供全新原装★★★★★,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势!
2020-8-12STX93003全新原装现货
随时可发货
2019-9-17STx24N60M6600VMDmesh?M6MOSFET系列STP24N60M6
STMicroelectronics的STx24N60M6是一款N沟道600V，162mΩ典型值，17A，MDmeshM6功率MOSFET
2019-9-9ST品牌热卖W78E052DDGPIC12F683-I/SN数据表
ST品牌热卖W78E052DDGPIC12F683-I/SN数据表
2019-8-13
DdatasheetPDF页码索引
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- P43
- P44
- P45
- P46
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- P48
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- P80
