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STW200NF03

N-CHANNEL30V-0.002ohm-120ATO-247ULTRALOWON-RESISTANCESTripFET??IIMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisparticularlysuitableinOR-ingfunctioncircuitsandsynchronousrectification. ■TYPICALRDS(on)=0.002Ω ■100AV

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-CHANNEL30V-0.0032ohm-120AD짼PAK/I짼PAK/TO-220STripFET??IIPOWERMOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel30V-0.0032ohm-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220STripFETTMIIIPowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channel30V-0.0032ohm-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220STripFETTMIIIPowerMOSFET

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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N-channel30V-0.0032ohm-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220STripFETTMIIIPowerMOSFET

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STW200NF03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW200NF03

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT N-Ch 30 Volt 120 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-6-1 11:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
TO-247
99933
ST/意法
2024+实力库存
TO-247
506
只做原厂渠道 可追溯货源
ST
2021+
TO-3P
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST/意法
22+
TO-247
99933
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
ADI
23+
TO-247
8000
只做原装现货
ST/意法
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法半导体
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
ST/意法
23+
TO247
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
ST
2023+
TO-247
16800
芯为只有原装,公司现货
ST意法半导体
24+23+
TO-247
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

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