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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

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意法半导体

N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

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意法半导体

更新时间:2026-1-3 16:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
TO-251-3
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只做原装,质量保证
ST/意法半导体
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ST/意法半导体
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ST/意法半导体
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公司只做原装 品质保障
ST/意法半导体
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ST/意法半导体
2020+
TO-251-3
7600
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友

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