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STTH4R06DEE-TR价格
参考价格：￥4.0094
型号：STTH4R06DEE-TR 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STTH4R06DEE-TR多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STTH4R06DEE-TR批发/采购报价，STTH4R06DEE-TR行情走势销售排行榜，STTH4R06DEE-TR报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STTH4R06DEE-TR | 封装/外壳：8-PowerVDFN 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
Turbo2ultrafastrecoverydiode Description TheSTTH4R06seriesusesST’snew600VplanarPtdopingtechnology.TheSTTH4R06isspeciallysuitedforswitchingmodebasedriveandtransistorcircuits. PackagedinPowerFLAT™,thisdeviceisintendedforuseinlowprofileapplications. Features ■Verylowswitchinglosses ■ | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
STTH4R06DEE-TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
STTH4R06DEE-TR
- 功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Turbo 2 Ultrafst REC 4A 600V 1.0V VF 30ns
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Switching Diodes
- 峰值反向电压
600 V
- 正向连续电流
200 A
- 最大浪涌电流
800 A
- 恢复时间
2000 ns
- 正向电压下降
1.25 V
- 最大反向漏泄电流
300 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
ISOTOP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
2305+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83270640邹小姐 |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
|||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
DFN-8.贴片 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
|||
ST/意法半导体 |
PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
ST |
22+ |
NA |
66900 |
原厂原装现货 |
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ST |
23+ |
NA |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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STTH4R06DEE-TR规格书下载地址
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