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STTH4R06DEE-TR价格
参考价格：￥4.0094
型号：STTH4R06DEE-TR 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STTH4R06DEE-TR多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STTH4R06DEE-TR批发/采购报价，STTH4R06DEE-TR行情走势销售排行榜，STTH4R06DEE-TR报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STTH4R06DEE-TR | 封装/外壳：8-PowerVDFN 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
Turbo 2 ultrafast recovery diode Description The STTH4R06 series uses ST’s new 600 V planar Pt doping technology. The STTH4R06 is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits. Packaged in PowerFLAT™, this device is intended for use in low profile applications. Features ■ Very low switching losses ■ | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STTH4R06DEE-TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
STTH4R06DEE-TR
- 功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Turbo 2 Ultrafst REC 4A 600V 1.0V VF 30ns
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Switching Diodes
- 峰值反向电压
600 V
- 正向连续电流
200 A
- 最大浪涌电流
800 A
- 恢复时间
2000 ns
- 正向电压下降
1.25 V
- 最大反向漏泄电流
300 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
ISOTOP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
11580 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT 3.3 x 3.3 |
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ST/意法半导体 |
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