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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
740/741 High Displacement Threaded Diaphragm Seal FEATURES Large diaphragm provides ample displacement for inches of water ranges Ideal for high static, low differential pressure applications | ASHCROFT 雅斯科 |   | ||
GROMMETS , BUSHINGS 文件：362.45 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Wiha Quality Tools Slotted Bits 文件：303.45 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
CONTROL B횁SICO Y ECON횙MICO DEL RELOJ FECHADOR ELECTR횙NICO 文件：702.85 Kbytes Page：2 Pages | PENTAIR 滨特尔 | | ||
10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages | WXDH 东海半导体 | |
STR-DH740产品属性
- 类型
描述
- 型号
STR-DH740
- 制造商
Sony Batteries
- 功能描述
7.2 Channel 4K AV Receiver
- 制造商
Sony Batteries
- 功能描述
7.2 RECEIVER
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
DIP |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
DELCO |
24+ |
DIP-16 |
25843 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
206845 |
一级代理，原装现货 |
|||
TI |
25+ |
- |
18798 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||||
MYRRA |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
TI |
25+ |
PDIP-14 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FOX |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
MOLEX/莫仕 |
2025+ |
N/A |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
STR-DH740规格书下载地址
STR-DH740参数引脚图相关
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2021-9-22STS5N15F4 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STS5N15F4 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装：2500 封装：8-SOIC
2021-9-18STS12NH3LL 专营MOS长期供应
1 Channel P-Channel MOSFET , SMD/SMT N-Channel 2 A MOSFET , P-Channel MOSFET 25 V MOSFET , TO-247AC-3 N-Channel MOSFET , TO-252-3 SMD/SMT 1 Channel P-Channel 58 W MOSFET , 2 Channel N-Channel 40 A 30 V MOSFET
2020-6-12STR911FAW42X6ARM微控制器-MCUARM966ES16/32BFlashMCU
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2019-3-15STR912FAW44X6QFPARM微控制器-MCU32MCU25696RAMETHERNETUSBCAN
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2019-3-15
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