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STPSC8H065DLF

8 A 650 V SiC功率肖特基二极管

这款8 A,650 V碳化硅二极管是具有超高性能的功率肖特基二极管并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n  STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT™8x8 HV封装,既可提供低正向导通压降带来的高能效品质,也可满足空间环境(如电信和网络,工业或可再生能源领域)对器件的高浪涌能力要求。 •  高度小于1毫米的封装 \n•  高爬电距离封装 \n• 无反向恢复,或反向恢复可忽略 \n•  没有或可忽略不计的反向恢复 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n•  低正向导通压降 \n•  高能效功率产品 \n• 元件符合ECOPACK®2 标准;

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意法半导体

STPSC8H065DLF

650 V power Schottky silicon carbide diode

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意法半导体

STPSC8H065DLF

封装/外壳:8-PowerVDFN 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:SILICON CARBIDE DIODES 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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意法半导体

High forward surge capability

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意法半导体

High forward surge capability

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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latch circuit

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STPSC8H065DLF产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Diodes_spec:

    1

  • Marketing Status:

    Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):

    650

  • Average Rectified Current_max(A):

    8

  • VF_max(V):

    1.55

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A):

    8

  • Reverse Current_max(mA):

    0.08

  • Total capacitive charge(nC):

    26

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):

    75

  • Junction Temperature_max(°C):

    175

  • General Description:

    8 A 650 V SiC Power Schottky Diode

更新时间:2026-8-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
25+
N/A
4658
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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样件支持,可原厂排单订货!
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PowerFLAT-5
20000
公司只有正品,实单可谈
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8000
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单
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20000
只做原装 品质保障
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21+
NA
3050
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!
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2020+
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7600
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友

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    STR2550,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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