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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STPSC10H065G2 | 650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode Features • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • High forward surge capability • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • Power efficient product • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK2 compliant component Descri | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STPSC10H065G2 | 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：650 V, 10 A HIGH SURGE SILICON C 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO-263 |
50 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
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