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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability. ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. MECHANICAL CHARACTERISTICS ·Low Voltage High | ISC 无锡固电 |   | ||
Power Schottky rectifier 文件：133.48 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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60 Ampere,45 Volt Dual Common Cathode Super Schottky Barrier Rectifier 文件：531.94 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
27 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
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