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位置：首页 > IC中文资料第1219页 > STP5NB100

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STP5NB100

N-CHANNEL1000V-2.4ohm-5A-TO-220/TO-220FPPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STP5NB100FP

N-CHANNEL1000V-2.4ohm-5A-TO-220/TO-220FPPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STP5NB100FP

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupplies(SMPS) ·HighCurrent,HighSpeedSwitching ·DC-ACConvertersforwelding

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P5NB100FP

N-CHANNEL1000V-2.4ohm-5A-TO-220/TO-220FPPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STW5NB100

N-CHANNEL1000V-4ohm-4.3A-TO-247PowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STP5NB100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP5NB100

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 1000 Volt 5 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STP5NB100供应商更多...

更新时间：2024-6-17 17:24:00
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