型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 250 V, 0.055 廓, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET

文件:480.07 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ., 52 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP52产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP52

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 250V 0.055 Ohm 28A Mdmesh V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-25 11:42:00
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