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STP38N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.026 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS ■ APPLICATION ORIENTED

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP38N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR

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意法半导体

更新时间:2025-12-28 23:01:00
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