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STP38N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.026 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS ■ APPLICATION ORIENTED | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STP38N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2026-3-18 19:29:00
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