| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STP38N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.026 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS ■ APPLICATION ORIENTED | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STP38N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-12-29 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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