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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP200N6F3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STP200N6F3 | N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STP200N6F3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STP200N6F3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP200N6F3
- 功能描述
MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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ST |
2016+ |
TO-220 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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ST |
TO-220 |
69850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ST |
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12500 |
原装现货热卖 |
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2025+ |
TO220 |
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全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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只做原装,质量保证 |
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ST/意法半导体 |
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ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
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