型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STN83003

High voltage fast-switching NPN power transistor

Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The STN83003 is expres

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STN83003

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STN83003

高压快速切换NPN功率晶体管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Lead Wire, #24 Str SPC, TFE Ins, AWM 1213

Product Description High Temp Plastic Lead Wire, 24AWG (19x36) Silver Plated Copper, TFE Insulation, AWM 1213 105C TYPE E MIL-W-16878/4 600V 200C

BELDEN

百通

Insulation Punch

文件:19.52 Kbytes Page:1 Pages

MOLEX11

莫仕

microcontroller (MCU)

文件:1.57705 Mbytes Page:715 Pages

RENESAS

瑞萨

8-BIT MICRO-CONTROLLER

文件:214.22 Kbytes Page:23 Pages

KBKing blillion Electronics Co.,Ltd.

骏亿骏亿电子股份有限公司

Q-Voice

文件:300.41 Kbytes Page:21 Pages

Holtek

合泰

STN83003产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STN83003

  • 功能描述

    TRANSISTOR NPN 400V SOT-223

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2025-10-4 14:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STM
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