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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STN3PF06 | P-CHANNEL 60V - 0.18ohm - 3A SOT-223 STripFET??II POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rem | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STN3PF06 | P-channel 60 V - 0.20 廓 - 2.5 A - SOT-223 STripFET??II Power MOSFET 文件：253.03 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STN3PF06 | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：929.42 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
STN3PF06 | P-Channel 60V - 0.18 Ohm - 3A SOT-223 STripFET(TM) II POWER MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
P-channel 60 V - 0.20 廓 - 2.5 A - SOT-223 STripFET??II Power MOSFET 文件：253.03 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.64298 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
STN3PF06产品属性
- 类型
描述
- 型号
STN3PF06
- 功能描述
MOSFET P-Ch 60 Volt 2.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST |
2016+ |
SOT223 |
4260 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
ST |
SOT223 |
12+ |
500 |
原装现货价格有优势量大发货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ST/意法 |
25+ |
SOT223 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
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ST/意法 |
25+ |
SOT-223 |
40347 |
ST/意法全新特价STN3PF06即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ST |
23+ |
2031 |
专做原装正品,假一罚百! |
||||
ST/意法 |
24+ |
SOT-223 |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
|||
ST |
17+ |
SOT-223 |
329993 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST(意法半导体) |
2024+ |
SOT-223 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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