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STL8P4LLF6

P-channel 40 V, 0.0175 廓 typ.,8 A, STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??3.3 x 3.3 package

Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL8P4LLF6

P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 3.3 x 3.3封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-30 23:01:00
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