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TMOSPOWERFET53AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.080OHM

ISOTOPTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
更新时间:2024-6-6 19:13:01
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