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STD8N60DM2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 600mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives

ISC

无锡固电

STD8N60DM2

N-channel 600 V, 550 m(ohm) typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

文件:823.9 Kbytes Page:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 550 mΩ typ., 8 A MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

Features  Fast-recovery body diode  Extremely low gate charge and input capacitance  Low on-resistance  100 avalanche tested  Extremely high dv/dt ruggedness  Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode seri

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-19 10:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO-252
25000
原装现货,假一罚十
ST/意法半导体
25+
原厂封装
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST
24+
TO252
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郑重承诺只做原装进口现货
ST/意法
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30000
原装现货,可追溯原厂渠道
ST/意法
22+
TO-252
10000
正规渠道原装正品

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