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STD30NE06T4

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STD30NE06T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD30NE06T4

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 30A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-4 22:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
20+
TO-252
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
25+
TO-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ST
17+
TO-252
60000
保证进口原装可开17%增值税发票
PHI
23+
SSOP-28
12300
ST
23+
TO-252
16900
正规渠道,只有原装!
ST
17+
TO-252
6200
ST
TO-252
35500
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ST
24+
TO-252
36800
ST/意法
23+
SOT-252
11200
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