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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STD30NE06LT4 | N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STD30NE06LT4 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半导体 | | |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半导体 | |
STD30NE06LT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD30NE06LT4
- 功能描述
MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
17+ |
TO-252 |
6200 |
||||
ST |
23+ |
TO252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
||||
ST |
2447 |
SOT252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST |
20+ |
TO252DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST/意法 |
20+ |
SOT252 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO252DPAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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