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STD2NB80

N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NB80

N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NB80产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2NB80

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 13:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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