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STD2NB60T4

N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NB60T4

Power MOSFET

文件:1.04803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD2NB60T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2NB60T4

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-19 19:41:00
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