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STD2NB60T4

N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2NB60T4

Power MOSFET

文件:1.04803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD2NB60T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2NB60T4

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 14:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
17+
TO-252
31518
原装正品 可含税交易
ST/意法
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
ST/意法
23+
TO-252
548
ST
25+
TO-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ST
24+
TO-251/252
6430
原装现货/欢迎来电咨询
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO-252
60000
全新原装现货
ST
24+
TO-252
7600
新进库存/原装
ST
24+
原厂封装
2235
原装现货假一罚十
ST
25+23+
TO-251
35639
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货

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