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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-5-25 10:18:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST专家
23+24
DPAK
59340
原装正品,原盘原标,优势库存
ST
25+
TO-252
20000
原装
ST/意法
2022+
TO-252
18880
原厂代理 终端免费提供样品
26+
N/A
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20+
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65300
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TO252DPAK
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