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STD12N05L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CH

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SURFCOIL SMT INDUCTORS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SURFCOIL SMT INDUCTORS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:170.53 Kbytes Page:5 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-1-27 18:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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公司只做原装 品质保障

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  • STD120N4F6 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STD120N4F6 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:2500 封装:TO-252-3

    2021-9-18
  • STD110N8F6

    製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

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