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STD120N4LF6价格

参考价格:¥4.8122

型号:STD120N4LF6 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STD120N4LF6多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STD120N4LF6批发/采购报价,STD120N4LF6行情走势销售排行榜,STD120N4LF6报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD120N4LF6

N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装

This product is a 40 V N-channel STripFET™ VI Power MOSFET based on the ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. • Logic level drive \n• 100% avalanche tested;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD120N4LF6

N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件:897.83 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD120N4LF6

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.32818 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件:897.83 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:1.07752 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

High avalanche ruggedness

文件:935.12 Kbytes Page:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD120N4LF6产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    40

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω):

    0.005

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.004

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    80

  • PTOT_max(W):

    110

  • Qg_typ(nC):

    80

更新时间:2026-5-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
N/A
18746
样件支持,可原厂排单订货!
STMicroelectronics
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST/意法半导体
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TO-252-3
20000
公司只有正品,实单可谈
ST全系列
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ST/意法半导体
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TO-252-3
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VBSEMI
19+
TO-252
13800
ST/
24+
TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
ST
26+
TO-247
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百

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    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STD120N4F6 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:2500 封装:TO-252-3

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  • STD110N8F6

    製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

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