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STD100N3LF3价格
参考价格：￥5.4647
型号：STD100N3LF3 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STD100N3LF3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STD100N3LF3批发/采购报价，STD100N3LF3行情走势销售排行榜，STD100N3LF3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STD100N3LF3 | N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET Description This Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical alignment steps | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STD100N3LF3 | N-channel 30 V, 0.0045 廓, 80 A, DPAK planar STripFET??II Power MOSFET 文件：337.87 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STD100N3LF3 | N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 30 V, 0.0045 廓, 80 A, DPAK planar STripFET??II Power MOSFET 文件：337.87 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET Description This Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical alignment steps | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET Description This Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical alignment steps | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STD100N3LF3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD100N3LF3
- 功能描述
MOSFET N Ch 30V 0.0045 Ohm 80A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ST |
24+ |
TO-252 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
ST |
17+ |
TO-252 |
6200 |
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2021-9-18STD110N8F6
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V， + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
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STC U8W MINI，烧录器，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-14
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