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ST123501

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-17 20:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SXSEMI
24+
DFN1006
900000
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ST
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代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

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