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ST123501

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-10 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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