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N-Channel Enhancement Mode

Standard Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features ● International standard packages ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Low package inductance (

IXYS

艾赛斯

6.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC6N80 is a N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

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NELLSEMI

尼尔半导体

Simple Drive Requirements

文件:61.06 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

6A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:199.62 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-12-29 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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