位置：首页 > IC中文资料第6601页 > SSP6N55
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SSP6N55 | N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Lower RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | Samsung 三星 |   | |
SSP6N55 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：279.66 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Fast Switching Speed 文件：70.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Power Field Effect Transistor 文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Power Field Effect Transistor 文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Power Field Effect Transistor 文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages | Motorola 摩托罗拉 | |
SSP6N55产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSP6N55
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220VAR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILB |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
ST |
2511 |
TO-220F |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
18000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
|||
ST |
25+ |
TO-220F |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT78A |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
仙童 |
05+ |
TO-220 |
8000 |
全新原装 绝对有货 |
|||
ST |
26+ |
TO-220F |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
24+ |
N/A |
1500 |
|||||
FSC仙童 |
21+ |
TO220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
SSP6N55规格书下载地址
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