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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SSP60N06 | N CHANNEL POWER MOSFETS 文件：268.24 Kbytes Page：5 Pages | Samsung 三星 |   | |
SSP60N06 | N CHANNEL POWER MOSFETS | Samsung 三星 | | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 60N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
60 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) ≤ 18mΩ @ VGS=10V, ID=30A * Ultra low gate charge ( ty | UTC 友顺 | | ||
60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：316.43 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：284.8 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：983.43 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SSP60N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSP60N06
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
N CHANNEL POWER MOSFETS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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