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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

Features (1) 1.8 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 157 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 76 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V) Applications • Power Management Switches

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-4 23:01:01
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