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SSM6N79FE

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Load Switches Features (1) 2.5 V drive (2) N-ch 2-in-1 (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 3.6 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) (4) Low leakage current

TOSHIBA

东芝

SSM6N79FE

Small-signal MOSFET 2 in 1

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Load Switches Features (1) 2.5 V drive (2) N-ch 2-in-1 (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 3.6 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) (4) Low leakage current

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-31 23:01:00
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