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SSM6N78FE

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
24+
NA/
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TOSHIBA
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9000
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SC70-6
3000
原装正品,支持实单

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