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SSM6N57NU_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 39.1 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 53 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
60000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOSHIBA/东芝
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UDFN6
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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TOSHIBA(东芝)
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原装进口公司现货假一赔百
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