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TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

○DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=440mΩ(max)(@VGS=4V) :Ron=300mΩ(max)(@VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-6-17 15:18:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA-东芝
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