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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○ High-Speed Switching Applications • 4.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 38.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 25.0 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更新时间:2025-11-6 16:21:01
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