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SSM6K403TU_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching 2. Features (1) 1.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 66 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) RDS(ON) = 43 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 32 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
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3000
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