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SSM6J512NU

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 24.0 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 18.3 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 14.3 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

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MOSFETs Silicon P-Channel MOS

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TOSHIBA

东芝

SSM6J512NU

Small Low ON resistance MOSFETs

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 24.0 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 18.3 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 14.3 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

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东芝

更新时间:2025-12-31 18:40:00
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