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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

○ DC/DC Converter Application ○ High-Speed Switching Applications • 4.0 V drive • Low ON-resistance : RDS(ON) = 225mΩ max (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 117mΩ max (@VGS = −10 V)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-2-11 11:30:01
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