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MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 95 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

TOSHIBA

东芝

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 95 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

TOSHIBA

东芝

Small Low ON resistance MOSFETs

TOSHIBA

东芝

Power Management Switches DC-DC Converters

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-31 23:01:00
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