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SSM3K333R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H)

Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching Features (1) 4.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-16 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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SOT-23
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