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SSM3K329R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 289 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 170 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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